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黑科技氮化镓异质集成芯片问世,号称成突破摩尔定律有效技术路径

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近日,西安电子科技大学微电子学院关于硅与氮化镓异质集成芯片论文在国际半导体器件权威期刊上发表。团队提出了一种转印和自对准刻蚀方法,并首次实现了晶圆级的Si-GaN单片异质集成的共源共栅晶体管。该新技术避免了昂贵复杂的异质材料外延和晶圆键合的传统工艺技术,有望成为突破摩尔定律的一条有效技术路径。

氮化镓(GaN)高功率器件在电力电子领域中受到越来越多的关注,在汽车电子、机电控制、光伏产业和各类电源系统中得到越来越多的应用。此前因为应用在小米等公司发布的充电器上引发市场关注。

据介绍,此次团队提出的技术和方法有望实现多种材料的大规模异质集成并基于此制造功能多样化的器件和电路,避免了昂贵且复杂的材料异质共生技术或晶圆键合工艺。

通过转印和自对准刻蚀的新技术,使得硅器件与氮化镓器件的互连距离缩短至100μm以下,仅为传统键合线长度的5%。经过大量器件测试和可靠性试验后,芯片之间的性能具有良好的一致性,这充分证明了转印和自对准刻蚀技术实现晶圆级单片集成共源共栅晶体管的巨大潜力和优势。

相关公司方面,据股票资讯网情报库(www.gpzixun8.com)氮化镓GaN 板块显示,

海特高新:公司半导体业务将主要聚焦于射频芯片、电力电子以及光电方向,旗下海威华芯建立了国内第一条6英寸砷化镓/氮化镓半导体晶圆生产线,目前氮化镓已达到600片/月的晶圆制造能力。此外,公司拥有武器装备质量体系认证委员会颁发的《武器装备质量体系认证证书》。

乾照光电:公司主要从事半导体光电产品的研发、生产和销售业务,主要产品为LED外延片和芯片及砷化镓太阳电池外延片及芯片。


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